三星方面，最近几年的晶圆制造出与追赶阶段，他们需要在3nm时代寻找技术架构差异化，拉近与台积电芯片代工方面的技术差距，用更激进的策略来获取客户的青睐。IBS首席执行官Jones表示：“与3nm FinFET相比，3nm环绕闸极具有更低的阈值电压，可能带来15%到20%的功耗降低，在某种程度上提供更多的性能。”
